Onderzoekers van het Insti-tut für Nanotechnologie (INT) van het Karlsruher Institut für Technologie (KIT) hebben een belangrijke stap voor-waarts gezet in gedrukte elektronica. Ze hebben aan-getoond, dat supersnelle veldeffect-transistors (FET) kunnen worden geprodu-ceerd van gedrukte anorganische oxide nano partikels. Deze worden gecombineerd met een afdrukbare composiet van vaste polymeer elektrolyten als isolator bij de stuurelektrode.
De onderzoekers hebben met hun werk aangetoond, dat de schakelsnelheid van elektrochemisch gestuurde gedrukte transistors niet afhankelijk is van de geleiding van de elektrolyt-isolator maar vooral van de resolutie van de afdruk.
Als het lukt om de isolator elektrolyten (Composite Solid Polymer Electro-lytes – CSPE) in ultradunne lagen te drukken, dan kan men een extreem hoge schakelsnelheid bereiken. Wordt deze met een laagdikte van een paar honderd nm opgebracht, dan gaat de schakelsnelheid boven de 1 MHz. Deze kennis effent de weg voor elektrochemisch aangestuurde componenten in de gedrukte elektronica.
FET’s
Veld effect transistors (FET) hebben drie elektroden: de Source als aanvoer voor de ladingdragers, de Drain als afvoerelektrode en de Gate als stuur-elektrode. De weerstand en daarmee de stroom door de Drain-Source-route wordt geregeld door de spanning tussen de Gate en Source en met het daaruit resulterende elektrische veld gestuurd.
De FET is voor veel gebieden te gebruiken zoals geïntegreerde schakelingen die voor etiketten van goederen kunnen worden gebruikt. Door het druk-proces zijn dergelijke transistors goedkoop en in grote aantallen te produ-ceren.
