Ga naar hoofdinhoud

Vermogensmodule

Toshiba Electronics Europe heeft de serie SiC componenten uitgebreid met een 3300 V, 1500 A vermogensmodule: de MG1500FXF1US71 PMI. De component integreert een N-channel IEGT (injection enhanced gate transistor) en een snelle schakeldiode (FRD) en een kunststof behuizing met een footprint van 140 mm x 190 mm.

De vermogensmodule is ontwikkeld om energie, ruimte en gewicht te besparen en reduceert bovendien het geluidsniveau in hoogvermogen schakelomvormers en motorregelingen. Toepassingen zijn te vinden in onder meer industriële motorregelingen, spoorwegtractie, hernieuwbare energiesystemen en elektrische transmissie en distributie.

De toepassing van een SiC Schottky barrier diode (SBD) verlaagt de stroom als gevolg van de spertraagheid en draagt zo bij aan een reductie van de inschakelverliezen. Dit in vergelijking met siliconen alternatieven. De besparingen kunnen hierbij oplopen tot 97%.

De MG1500FXF1US71 vermogensmodule biedt een scheidingsspanning van 6000 VAC (rms voor één minuut) en is bestand tegen piekcollectorstromen bij het uitschakelen tot 3000 A. Verder bedraagt de collector vermogensdissipatie (bij 25 °C) 5000 W en loopt de temperatuurrange van -40°C tot 150 °C.

x
Mis niet langer het laatste nieuws

Schrijf u nu in voor onze nieuwsbrief.

Inschrijven