ABB heeft een krachtige fa-milie halfgeleiderelementen ontwikkeld. Op basis van moderne structuren kon de spanning van het IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bijna worden verdubbeld van 2,5 kV naar 4,5 kV. De robuuste behui-zingtechnologieën kunnen stromen van 700 A tot 2.000 A aan. Hierdoor kan het aantal eenheden per megawatt en converter station fors omlaag en zijn de overeenkomstige geleidings- en schakelverliezen duidelijk lager.
Sinds 1997 zet ABB in hoogspanning gelijkstroombruggen IGBT-technologie in. In converters worden de halfgeleiders zowel parallel als in serie geschakeld. Met de nieuwe modules hoeven minder eenheden in serie te worden geplaatst, hetgeen ook weer plaats bespaart.
Anders dan bij IC’s ligt de vooruitgang niet in de verdere miniaturisering van de celstructuren. De afzonderljike transistoren zijn nauwelijks kleiner, maar wel complexer, dunner en krachtiger. Een moderne celstructuur maakt schakelvermogens van ongeveer 1 MW/cm2 actief oppervlak mogelijk bij onvermi9nmderd goede aansturing van de spanningspulsen via de gate-elektrode.
In een hoogspannings gelijkstroombrug kunnen tot duizend IGBT’s zijn ingebouwd. In elke afzonderlijke component zijn tot 72 chips geïntegreerd waarvan er maximaal 36 een IGBT is. Elke IGBT is samengesteld uit zo’n 200.000 transistorcellen.
