ON Semiconductor introduceert een serie middenspanning n-kanaals MOSFETs. De componenten kenmerken zich onder meer door lage RDS waarden en een dito weerstand waarmee zij geleidingsverliezen minimaliseren en het totale operationele efficiëntie niveau verbeteren. Daarnaast hebben ze een lage Ciss – tot 2164 pF – waarmee de driver verliezen zo laag mogelijk worden gehouden.
De eigenschappen van deze MOSFETs komen tegemoet aan de eisen van engineering teams en OEMs die streven naar systeem ontwerpen met een hogere efficiëntie maar gelijktijdig toch minder boardruimte willen gebruiken. Toepassingen zijn te vinden in data netwerken, telecommunicatie en industriële applicaties.
Technische eigenschappen MOSFET
Met een gemiddelde doorslagspanning van 40 V, hebben de MOSFETS NTMFS5C404NLT, NTMFS5C410NLT en NTMFS5C442NLT een maximale RDS(on) waarde (@ Vgs = 10 V) van respectievelijk 0,74 mΩ, 0,9 mΩ en 2,8 mΩ met een continue afvoerstroom van respectievelijk 352 A, 315 A en 127 A.
Verder zijn de MOSFETS aan te vullen met de NTMFS5C604NL, NTMFS5C612NL en NTMFS5C646NL. Deze uitvoeringen hebben een doorslagspanning van 60 V. De maximale RDS(on) van deze componenten zijn respectievelijk 1,2 mΩ, 1,5 mΩ en 4,7 mΩ met de bijbehorende continue afvoerstromen van 287 A, 235 A en 93 A. Zowel de 40 V als de 60 V elementen zijn geschikt voor aansluittemperaturen tot 175˚C.
