Reacties

Krachtige IGBT-modules

Krachtige IGBT-modules
31-05-2010 - ABB heeft een krachtige familie halfgeleiderelementen ontwikkeld. Op basis van moderne structuren kon de spanning van het IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) bijna worden verdubbeld van 2,5 kV naar 4,5 kV. De robuuste behuizingtechnologieën kunnen .....
 

Reacties (0)

Er zijn nog geen reacties geplaatst.